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晶體硅太陽電池及組件EL測(cè)試介紹

晶體硅太陽電池及組件EL測(cè)試介紹

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級(jí)別:| 積分:0 分 | 瀏覽:81086 | 大。14.00KB | 下載:4492 次 | 上傳:2013-09-04

簡(jiǎn)介:

本文基于電致發(fā)光(Electroluminescence,EL)的理論,介紹了利用近紅外檢測(cè)的方法,檢測(cè)出了晶體硅太陽電池及組件中常見的隱性缺陷。這些缺陷包括:硅材料缺陷、擴(kuò)散缺陷、印刷缺陷、燒結(jié)缺陷以及組件封裝過程中的裂紋等,并簡(jiǎn)要分析了造成這些缺陷的原因。

[展開]
     

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