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退火溫度和時(shí)間對(duì)制備多晶硅薄膜的影響

退火溫度和時(shí)間對(duì)制備多晶硅薄膜的影響

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簡(jiǎn)介:

通過(guò)PECVD法于不同溫度直接沉積非晶硅(a-Si∶H)薄膜,選擇于850℃分別退火2h、3h、6h、8h,于700℃分別退火5h、7h、10h、13h,于900℃分別退火1h、3h、8h,分別于720℃、790℃、840℃、900℃、940℃退火1h,然后用拉曼光譜和SEM進(jìn)行對(duì)比分析,發(fā)現(xiàn)退火溫度與退火時(shí)間的影響是相互關(guān)聯(lián)的,并且出現(xiàn)一系列晶化效果好的極值點(diǎn)。

[展開(kāi)]
         
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