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硅片的化學(xué)清洗原則與方法

硅片的化學(xué)清洗原則與方法

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級別:| 積分:0 分 | 瀏覽:80634 | 大。25.47KB | 下載:4449 次 | 上傳:2013-10-18

簡介:

硅片清洗的一般原則是首先去除表面的有機沾污;然后溶解氧化層(因為氧化層是“沾污陷阱”,也會引入外延缺陷);最后再去除顆粒、金屬沾污,同時使表面鈍化。

[展開]
         
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