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微晶硅薄膜太陽(yáng)電池的計(jì)算機(jī)模擬

微晶硅薄膜太陽(yáng)電池的計(jì)算機(jī)模擬

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級(jí)別:| 積分:100 分 | 瀏覽:84864 | 大。602.82KB | 下載:5908 次 | 上傳:2013-03-26

簡(jiǎn)介:

本文建立了一個(gè)p-i-n結(jié)構(gòu)的微晶硅薄膜電池模型,利用太陽(yáng)電池電容模擬軟件(簡(jiǎn)稱SCAPS)研究了活性層 的厚度、缺陷態(tài)濃度及窗口層的摻雜濃度等參數(shù)對(duì)電池的性能的影響,得到的主要結(jié)論如下:(1)活性層的厚度和缺陷態(tài)濃度對(duì)可見(jiàn)和近紅外波段(即中長(zhǎng)波段)的光譜響應(yīng)和電池的I.V特性有重要影響;(2)窗口層的摻雜濃度主要影響紫外波段(即短波段)的光譜響應(yīng)和電池的開(kāi)路電壓。

[展開(kāi)]
         
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